Termék áttekintése
A hexafluor-etán (C2F6) egy teljesen fluorozott, telített fluor-szénhidrogén-vegyület, amely normál körülmények között színtelen, szagtalan, nem{0}}gyúlékony és nem{1}}toxikus gázként jelenik meg. Kritikus elektronikai speciális gázként a hexafluor-etánt kivételes kémiai stabilitása és kiváló maratási szelektivitása miatt értékelik, ami nélkülözhetetlenné teszi a félvezető- és mikroelektronikai gyártásban. Szigorú tisztítási eljárásokkal előállított nagy-tisztaságú hexafluor-etánunk megfelel a fejlett elektronikus alkalmazások szigorú követelményeinek, ahol az ultra-nagy tisztaság és a minimális szennyeződés a legfontosabb.
Alapvető információk
| CAS-szám | 76-16-4 |
| ENSZ sz. | UN2193 (hexafluor-etán, préselt) |
| Molekuláris képlet | C₂F₆ |
| Veszélyességi osztályozás | 2.2 (Nem-gyúlékony, nem-mérgező gáz) |
Kulcs attribútumok és paraméterek
| Tisztaság | Nagyobb vagy egyenlő, mint 99,999% (5N minőségű szabvány), magasabb fokozatok is elérhetők. |
| Kritikus szennyeződések (tipikus specifikációk) |
Oxigén (O2) Nitrogén (N2): 2 ppm vagy kevesebb Nedvesség (H₂O): 1 ppm vagy kevesebb Összes fémion: 10 ppb vagy kevesebb |
| Forráspont | -78,2 fok |
| Kritikus hőmérséklet | 19,7 fok |
| Gőznyomás (21,1 fokon) | 3,33 MPa abs |
| Sűrűség (gáz, 25 fok) | ~7,85 kg/m³ (kb. . 5x sűrűbb a levegőnél) |
Jellemzők és előnyök
Magas kémiai és plazmastabilitás
Az erős C-F kötések stabil, szabályozott bomlást biztosítanak plazmakörnyezetben, aktív fluor gyököket hozva létre a pontos maratáshoz.
Kiváló rézkarc szelektivitás
Kiválóan hangolható marási arányt kínál a szilícium, a szilícium-dioxid, a szilícium-nitrid és a fotoreziszt között, lehetővé téve a kifinomult mintaátvitelt a fejlett csomópontok számára.
Kiváló dielektromos és szigetelő tulajdonságok
Nagy dielektromos szilárdsága és termikus stabilitása alkalmassá teszi speciális elektromos szigetelési alkalmazásokhoz.
Folyamatkompatibilitás és széles ablak
Bizonyított kompatibilitás a szabványos félvezető-gyártó eszközökkel (pl. ICP, CCP maratók), széles és stabil folyamatablakot kínálva a gyártók számára.
Funkcionális jellemzők
A plazma{0}}alapú folyamatokban a hexafluor-etán lebomlik, így fluor gyökök (F*) és különféle CFx-ionok keletkeznek. Ez lehetővé teszi, hogy elsősorban a következőképpen működjön:
1. Precíziós maratószer: Lehetővé teszi szilícium, poliszilícium és különféle dielektromos filmek anizotróp maratását nagy szelektivitás és profilszabályozás mellett.
2. Kamratisztító szer: Hatékonyan távolítja el a szilícium-alapú maradványokat a kémiai gőzleválasztásból (CVD) és a maratási kamrák belsejéből anélkül, hogy károsítaná a kamra alkatrészeit.
3. Egy vivő/hígítógáz: A gázkeverékek plazmakémiájának modulálására és stabilizálására használható.
Elsődleges alkalmazási mezők
Félvezető gyártás
Kulcsmarat poliszilícium kapumintázathoz, sekély árokszigeteléshez (STI) és dielektromos (SiO₂, alacsony-k) átmenő/árok maratáshoz. Nélkülözhetetlen az in-kamratisztításhoz.
Lapos kijelző (FPD) gyártása
Vékony{0}}film tranzisztor (TFT) tömbök mintázására és OLED-kijelzők mikro{1}}gyártására használják.
Fotovoltaik
Textúra és mintázás szilícium-alapú és vékony{1}}filmes napelemgyártásban.
Egyéb alkalmazások
Hűtőközegként (R116), elektromos berendezésekben szigetelő gázként és lézerekben puffergázként használják.
Ügyfél-együttműködési eset
Egy vezető félvezető öntöde lépett velünk kapcsolatba, hogy optimalizálja a 28 nm-es logikai chip érintkezési furatok maratási folyamatát, amely kihívásokkal szembesült az oldalfal érdessége és a maratási egyenletesség terén. Kifejlesztettünk egy testreszabott hexafluor-etán-alapú gázkeveréket (O₂-vel és Ar-val), amely az adott maratási eszközhöz (Applied Materials Centura) lett szabva. 99,9995%-os ultra-nagy-tisztaságú hexafluor-etánt szállítottunk fémszennyeződésekkel<5 ppb and implemented a real-time gas monitoring system. This collaboration resulted in a 40% reduction in sidewall roughness (from 5.2nm to 3.1nm), improved within-wafer uniformity from ±8% to ±4%, and enhanced critical dimension control by 25%. The successful gas formulation was adopted as their standard process, contributing to a 3.2% increase in production yield and establishing a joint development framework for sub-10nm node etch solutions. This case highlights how our high-purity hexafluoroethane and application expertise directly enable advanced manufacturing.
GYIK
Népszerű tags: hexafluor-etán, kínai hexafluor-etán gyártók, beszállítók, gyár, Co kalibrációs gáz, CO2 kalibrációs gáz, Hexafluor-etán, Hidrogén kalibrációs gáz, Folyékony argongáz, Vinil-klorid CAS 75 01 4
